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cbug, acuerdate de utilizar la funcion free() para no dejar memory leaks...

Muy cierto, gracias por recomendarmelo... hace mucho que no tengo práctica en C, y a veces esos detalles son importantes y muy frecuentes de olvidárselos.

Esta es una opción:

Código [Seleccionar] Expandir

#include<stdio.h>
#include<stdlib.h>

int main()
{
 char *matriz[2][2];
 int i, j;
 for(i = 0; i < 2; i++)
   for(j = 0; j < 2; j++){
     matriz[j][i] = malloc(sizeof(char)*10);
     fgets(matriz[j][i], sizeof(char)*10, stdin);
   }
 for(i = 0; i < 2; i++){
   for(j = 0; j < 2; j++){
     printf("\t %s \t", matriz[i][j]);
   }
   printf("\n");
 }      
 return 0;
}

Ahora bien, lee las chinchetas del foro para saber porque no usar scanf(), como tampoco es bueno utilizar fflush(stdin).

Bueno si fuese en C++, tendriamos en realidad:

Código [Seleccionar] Expandir

[b]string[/b] matriz[][]

podrias explicarme un poco mas de eso de 3 dimensiones, le entiendo cuando es doble apuntador o de 2 dimensiones, pero de 3 no logro visualizarlo, y como meter datos ahi
siento que seria algo asi como :
char *matriz[][];

Con esto último estaría bien.

Fijate que: **matriz == matriz[][] EN CIERTO MODO. Ahora bien observa: ***matriz == *matriz[][]

Código [Seleccionar] Expandir

char matriz[m][n];

Aquí nunca podrás almacenar una cadena como elemento de la "matriz".

Creo que deberías utilizar algo como lo siguiente:

Código (c) [Seleccionar] Expandir

typedef char *cadena;

cadena **matriz;

Bien, mas o menos he comprendido, en este caso cuanta intensidad haria falta? Porque me dan voltaje, no Intensidad, para estimular el base.

Saludos

Para excitar el transistor en realidad es cuando consigues los 0,7V en B-E. Lo que importa aquí en un transistor NPN es la intenSidad de colector Ic. Su cálculo es normalmente fácil:

Ic = B * Ib Donde B(beta) es la ganancia del transistor.

Lo de la fuente de alimentación es lo de menos... Mientras sepás el voltaje y amperaje máximo, tranquilamente podrás calcular tu circuito, ya que si es una pila, con un driver podrás administrar tranquilamente para tu transistor de potencia.

VCBO Collector-Base Voltage (IE = 0) 60 V
VCEO Collector-Emitter Voltage (IB = 0) 40 V
VEBO Emitter-Base Voltage (IC = 0) 6 V

Son los voltajes máximos entre las uniones NPN.

VCBO Collector-Base Voltage (IE = 0) 60 V
VCEO Collector-Emitter Voltage (IB = 0) 40 V
VEBO Emitter-Base Voltage (IC = 0) 6 V

Son los voltajes máximos entre las uniones NPN.

Los transistores al tener capas unidas entre sí, generan un voltaje mínimo entre b-c, c-e, e-b, por lo que tendrán también sus respectivos voltajes máximos expuestos en el datasheet.

pero estoy acostumbrado a que me den una intensidad o un voltaje para los mosfte y me digan con tanto estimulas el base y el colector transmite al emisor y asi amplificas corrientes

Fijate que un mosfet no es lo mismo que un transistor NPN, y son utilizados para eliminar ruidos de alta frecuencia. No te acostumbres a esto, ya que los transistores NPN generalmente son utilizados con un fin de control sobre la corriente, y tienen por detrás toda una teoría de cálculo.

No veo que hayan dicho que no 

1- Trata de no usar variables globales.
2- En la teoría de pilas se específica que el pop devuelve el elemento.
3- El problema supongo que está en el bucle para eliminar elementos ya que su condición es > 0, cuando tus push comienzan precisamente en el elemento 0.